Propiedades electrónicas y estructurales del GaAs y el ZnSe

• Autores: M. González Díaz, P. Rodríguez Hernández
• Localización: Revista de la Academia Canaria de Ciencias: = Folia Canariensis Academiae Scientiarum, ISSN 1130-4723, Vol. 6, Nº. 2-4, 1994, págs. 9-22
• Idioma: español
• Enlaces
  • Texto completo
• Resumen
  • español

    En este trabajo presentamos una determinacion de la estruc tura de bandas y de las constantes elasticas del ZnSe y el GaAs utilizando pseudopotenciales ab initio y conservadores de la norma dentro del formalismo del funcional de la d(Mi>i(l

  • English

    We present an ab initio pseudopotential calculation within the local density aproxima-tion of the electronic structure and the full set of elastic constants of Ga.45 and ZnSe.W'e compare with the results established experimentally, to determinate the importance of the core corrections in Zn and Ga and we find that we must take core corrections inlo account to obtain accurate results.