Annealing effects on the mass diffusion of the CdS/ITO interface deposited by chemical bath deposition

• Autores: A. Ordaz Flores, A. I. Oliva, R. Castro Rodríguez, P. Bartolo Pérez
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 52, Nº. 1, 2006, págs. 15-19
• Idioma: español
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• Resumen

  • Capas delgadas de sulfuro de cadmio, preparadas por baño químico, fueron depositadas sobre sustratos de ITO (óxido de estaño impurificado con indio) con diferentes tiempos de depósito (i.e. espesor) y caracterizadas en su morfología y en su brecha de energía. Las muestras fueron analizadas tanto recién depositadas como después de ser recocidas a las temperaturas de 90 y 150±C, con el objetivo de estudiar la difusión en la interfaz CdS/ITO y sus efectos sobre las propiedades mencionadas. Con ayuda de los perfiles Auger, se determinaron los valores de la difusividad másica de dicha interfaz. El valor inicial rms de la rugosidad superficial medida usando imágenes de fuerza atómica, así como la brecha de energía, se ven reducidos después de los procesos de recocido. Se obtuvieron valores muy pequeños en los coeficientes de difusión, del orden de 10¡21 m2/s, para los diferentes elementos analizados en la interfaz.