Resumen de Caracterización de capas de GaAs/Si crecidas por el método conforme
O. Martínez, A. M. Ardilla, J. Jiménez
El crecimiento conforme de capas de GaAs consiste en un crecimiento epitaxial lateral confinado del material III-V sobre un substrato de silicio, usando semillas orientadas de GaAs. El crecimien-to vertical es controlado por una máscara dieléctrica que sobresale sobre una cavidad obtenida por ataque químico. Los estudios ópticos de las estructuras de GaAs así obtenidas, fueron realizados por espectroscopia micro-Raman (µR) y cathodoluminiscencia (CL). Estas técnicas revelaron va-riaciones locales de la intensidad de la luminiscencia en forma de rayas paralelas y perpendiculares a la semilla de GaAs. El análisis morfológico complementario fue realizado usando interferometría óptica en el modo de contraste de fase. Se sugiere que inhomogeneidades locales de la tensión pueden desempeñar un papel importante en la formación de estados de mitad de banda, responsa-bles de las variaciones locales de la intensidad de la luminiscencia. El autodopado también fue re-velado por los espectros de CL y del µ-R.
