Dependencia de la respuesta óptica con el decapado químico de películas de ga1-xinxasysb1-y

• Autores: L. Tirado-Mejía, J. Osorio, J. Segura, Hernando Ariza Calderón, N. J. Gutiérrez, C. Ortiz, M. de los Ríos, Gerardo Fonthal
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 38, Nº. 1, 2006, págs. 69-72
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se estudió la tasa de decapado químico con soluciones ácidas en películas epitaxia-les de Ga1-xInxAsySb1-y, fabricadas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida, mediante la medi-ción de los espesores a diferentes tiempos de ataque químico. Así mismo, se midió la respuesta óp-tica de las películas por fotoluminiscencia y se determinó su variación con el tiempo de decapado, observándose un cambio en la intensidad relativa de los picos y un corrimiento en energía asociado a la remoción de las capas más superficiales debidas a la formación de óxidos. Se realizaron prue-bas en sustratos de GaSb para seleccionar el mejor material para enmascarar su superficie, lográn-dose determinar la razón de ataque en este sustrato.