Resumen de Electric field effects on the shallow donor impurity states in GaAs-(Ga,Al)As quantum-well wires
J. W. González, N. Porras-Montenegro, C.A. Duque
Usando un procedimiento variacional dentro de la aproximación de masa efectiva, hemos hecho un estudio teórico de los efectos de un campo eléctrico aplicado sobre la energía de enlace de una im-pureza donadora poco profunda en un hilo cuántico de GaAs-(Ga,Al)As de sección transversal cuadrada. El campo eléctrico es aplicado en plano de la sección transversal del hilo y se conside-ran diferentes direcciones angulares. Para la barrera potencial que define la región del hilo hemos consideramos un modelo finito en la dirección x, y un modelo infinito en la dirección y. Los resul-tados que presentamos son para algunos valores de la dimensión de la sección transversal del hilo, diferentes valores del campo eléctrico aplicado y diferentes orientaciones sobre la sección trans-versal del hilo. Para los casos límite, nuestros resultados reproducen aquellos del pozo cuántico finito e infinito.
