Fotorreflectancia a baja temperatura en GaInAsSb/GaSb

• Autores: G. A. Álvarez, John Jairo Prías Barragán, Hernando Ariza Calderón, D.G. Espinosa-Arbeláez, L. Tirado-Mejía
• Localización: Revista de la Sociedad Colombiana de Física, ISSN-e 0120-2650, Vol. 37, Nº. 1, 2005, págs. 138-141
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se presenta el análisis de espectros de fotorreflectancia (FR) tomados en el rango de temperatura de 12K a 100K, de una película de GaxIn(1-x)AsySb(1-y)/GaSb crecida mediante la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL). Los ajustes se realizaron con formas de línea lorentziana de primera derivada para la transición excitónica Ex y de tercera derivada para la transición inter-banda Eo. Los parámetros que describen la variación de la energía de las transiciones electrónicas con la temperatura fueron evaluados mediante las relaciones semiempíricas de Varshni y del tipo Bose-Einstein. El comportamiento del ensanchamiento con la temperatura fue descrito por relacio-nes del tipo Bose-Einstein, encontrándose que el proceso dispersivo principal puede estar relacio-nado con la interacción de electrones con la red.