En este trabajo se presenta el análisis de espectros de fotorreflectancia (FR) tomados en el rango de temperatura de 12K a 100K, de una película de GaxIn(1-x)AsySb(1-y)/GaSb crecida mediante la técnica de epitaxia en fase líquida (EFL). Los ajustes se realizaron con formas de línea lorentziana de primera derivada para la transición excitónica Ex y de tercera derivada para la transición inter-banda Eo. Los parámetros que describen la variación de la energía de las transiciones electrónicas con la temperatura fueron evaluados mediante las relaciones semiempíricas de Varshni y del tipo Bose-Einstein. El comportamiento del ensanchamiento con la temperatura fue descrito por relacio-nes del tipo Bose-Einstein, encontrándose que el proceso dispersivo principal puede estar relacio-nado con la interacción de electrones con la red.
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