La incorporación de un óxido a la matriz de un segundo produce cambios en las propiedades superficiales del sistema inicial, así como modificaciones en la estructura electrónica del material; de hecho, la recombinación de portadores de cargas en un material semiconductor se ve modificada por la incorporación de otro elemento a la red del semiconductor. El óxido mixto ZrO2-SiO2 fue preparado empleando el método sol gel de precipitación seguido de diversos tratamientos térmicos. Los materiales así obtenidos fueron caracterizados por diversas técnicas encontrándose que la textura, estructura y morfología de estos sistemas está fuertemente condicionada no sólo por el método de preparación sino por los tratamientos de calcinación.
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