Resumen de Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión
Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.
