Estudio de estructuras hexaportales aplicables a analizadores de redes de microondas

• Autores: Alejandro Dueñas Jiménez
• Directores de la Tesis: Arturo Serrano Santoyo (dir. tes.)
• Lectura: En la Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada ( México ) en 1993
• Idioma: español
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: cicese.repositorioinstitucional.mx
• Resumen

  • Este trabajo presenta un método teórico-práctico básico para el diseño y construcción de amplificadores balanceados de alta frecuencia. La técnica usada aquí permite diseñar amplificadores de hasta un 10% de ancho de banda, pudiendo este ser mejorado aproximadamente el doble cuando se hace una optimización de redes por modificación selectiva de elementos. La construcción se puede llevar a cabo con transistores unipolares de efecto de campo fabricados con Arseniuro de Galia (TEC GaAs) y/o, con transistores bipolares de yunta de Silicio (TBJ Sid, usando acopladores direccionales y redes de acoplamiento pasivas realizadas con elementos distribuidos en microcinta estándar. El método de diseño se comprueba con la construcción de un amplificador de una etapa que utiliza transistores bipolares y acopladores direccionales híbridos de cuadratura del tipo de líneas ramales. La caracterización del amplificador en el intervalo de frecuencia de 4.7 a 4.2 GHz; mostró entre otros, los siguientes resultados: - Ganancia = 6.049 0.3392 dB - Cifra de ruido = 9.277 0.229 dB - Pérdidas por regreso a la entrada = 20.40 dB a 4.2 GHz - Pérdidas por regreso a la salida = 23.00 dB a 4.0 GHz - Potencia de salida a 1 dB de compresión de ganancia = 21.5 dBm a 3.7 GHz. Un programa de computadora interactivo realiza el diseño y análisis de acopladores direccionales de líneas ramales y de líneas paralelas acopladas. Curvas de diseño para acopladores de 3 dB de dos, cuatro Y seis líneas (interdigitados), han sido generadas y se encuentran en el apéndice 3