Defectos puntuales producidos por la irradiación y efecto fotorrefractivo en Bi4Ge3O12 monocristalino
- Autores: Eduardo Moya Díaz
- Directores de la Tesis: Carlos Zaldo Luezas (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad Autónoma de Madrid ( España ) en 1992
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: José Manuel Cabrera Castillo (presid.), Ramiro Pareja (secret.), Carmen Nieves Nieves Afonso (voc.), Jose Luis Alvarez Rivas (voc.), Joaquin M. Fernandez Rodriguez (voc.)
- Materias:
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- Resumen
Se ha determinado que los defectos inducidos con rayos x. A t=12 k dan coloracion cuando se calientan las muestras. - se ha determinado que la radioluminiscencia ocurre en dos fases, una rapida por el despoblamiento de trampas electronicas y otra lenta debida a la autoabsorcion de la emision por la coloracion inducida por los rayos x. - se ha determinado que la coloracion inducida por luz ultravioleta a temp. Ambiente esta relacionada con el cambio de valencia de las impurezas. - en bl4ge3o12 se han inducido redes molograficas. Se ha discutido su origen y se concluye que son fotorrefractivas. - se ha determinado la influencia de la iluminacion con luz ultravioleta en las propiedades opticas y electricas. - se ha determinado el estado de valencia del ci en bi4ge3o12 y se ha discutido la absorcion optica del bi4ge3o12:cr.
