Resumen de Estudios de amplificadores de microondas con dispositivos GaAs MESFET
Elaboración de un método que permite la caracterización precisa de transistores planares a frecuencias de microondas. Se tratan separadamente los regímenes de bajo ruido y gran señal. Determinando en cada caso las redes de adaptación de entrada y salida que optimizan el comportamiento del amplificador asi como los parámetros de ruido y la caracterización en compresión de ganancia.
