Periodo de publicación recogido
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The effect of ionization and displacement damage on minority carrier lifetime
Jianqun Yang, Xingji Li, Chaoming Liu, D.M. Fleetwood
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 82, 2018, págs. 124-129
Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices
D.M. Fleetwood
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 266-277
Total ionizing dose effects in shallow trench isolation oxides.
F. Faccio, H.J. Barnaby, X.J. Chen, D.M. Fleetwood, L. Gonella, M. McLain, R.D. Schrimpf
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 1000-1007
Effects of device aging on microelectronics radiation response and reliability.
D.M. Fleetwood, M.P. Rodgers, L. Tsetseris, X.J. Zhou, I. Batyrev, S. Wang, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, págs. 1075-1085
Hydrogen in MOSFETs ¿ A primary agent of reliability issues.
S.T. Pantelides, L. Tsetseris, S.N. Rashkeev, X.J. Zhou, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 903-912
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