I. Unzueta, Eneko Axpe Iza, D. Merida, Estibaliz Legarra Sáez, N. Zabala, V. Sánchez Alarcos, I. Pérez Landazabal, Vicente Recarte Callado, V. Muñoz San José, Fernando Plazaola Muguruza
Positroi-deuseztapen erdibizitzaren espektroskopia (PALS) erabiliz, memoria formadun aleazio etaBi2Se3 isolatzaile topologikoa ezaugarritu da. Aleazioen kasurako, hutsuneen dentsitatea, transformaziomartensitikoaren tenperatura zein propietate magnetikoak erlazionaturik daude. Hutsune hauen kontzentrazioak PALS teknikaren bidez neurtzen dira. Bi2Se3 isolatzaile topologikoei dagokionez, egiturakristalinoan ager daitezkeen defektuek zein beren izaerak haien egitura elektronikoa eralda dezakete.Gure lehenengo emaitzen arabera, as-grown laginen akats natiboak honako hauek dira: dira: i) Vande Walls indarren bitartez elkarturiko geruzetan kokatzen diren selenio hutsuneak, eta ii) kargaturikotranpa ionikoak, segur aski antikokapen erako akatsak direnak.
© 2001-2025 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados