Resumen de Esparcimiento fotónico por la estructura en capas de los cristales simples de GeS, GeSe, SnS y SnSe
- español
Los cristales simples de GeS. GeSe, SnS y SnSe no han mostrado un borde de absorción, y su coeficiente de absorción exhibe largas colas sin forma hacia el lado de bajas energías. Estas colas se han atribuido a esparcimiento interno de fotones debido a IOS Plano; que forman la estructura en capes del material. Este esparcimiento causa una subida de la reflectancia hacia la baja energía de IOS fotones. A consecuencia de este esparcimiento interno, debe considerarse un espesor efectivo que es menor que el verdadero. Esto debe hacerse al usar las ecuaciones estándar para las interferencias en las muestras
- English
GeS, GeSe, SnS and SnSe single crystals did not show an absorption edge and their absorption coefficient exhibit a featureless long tail towards the low energy side. The absorption tail was attributed to internal photon scattering caused by the planes of the layer structure of the material. This scattering caused a rise in reflectance towards the lower photon energy. As a consequence of internal photon scattering by the layer structure an effective thickness smaller than the true one should be considered when applying the standard equations for interference in homogeneous samples without layer structure
