Alejandro Valero, Julio Sahuquillo Borras, Salvador Petit, Pedro López, José Duato
Las memorias cache se han implementadonormalmente con tecnología SRAM. Esta tecnología presenta un tiempo de acceso rápido pero consumode energía elevado y baja densidad. Al contrario,la reciente tecnología eDRAM permite quelas caches tengan menor consumo de energ´ıa y ´area,aunque un tiempo de acceso m´as lento. La tecnolog´ıaeDRAM ofrece una reducción significativa de leakagey área, especialmente en LLCs grandes que ocupancasi la mitad del área de silicio en algunos microprocesadoresrecientes.Este art´ıculo propone una LLC h´ıbrida que combinabancos SRAM y eDRAM para abordar el compromisoexistente entre prestaciones y energ´ıa. Coneste fin, se explora la proporci´on ´optima de bancosSRAM y eDRAM que consigue el mejor compromiso.Se consideran mecanismos arquitect´onicos para mantenerlos bloques MRU en bancos SRAM r´apidos as´ıcomo para evitar lecturas destructivas innecesarias.Los resultados experimentales muestran que, comparadocon una LCC SRAM convencional, ladegradaci´on de prestaciones no sobrepasa 2.9% enla media (incluso con un 12.5% de bancos SRAM),mientras que la reducci´on de ´area puede llegar hastaun 46% para una LLC de 1MB-16v´ıas. Para unatecnolog´ıa de 45nm, la m´etrica ED2P confirma queuna cache h´ıbrida resulta en un dise˜no mejor queuna cache SRAM convencional independientementedel n´umero de bancos eDRAM, y tambi´en mejor queuna cache eDRAM convencional cuando el n´umero debancos SRAM es un cuarto o un octavo de los bancosde cache.
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