Degradación y fiabilidad en transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) basados en heteroestructuras AIGaN/GaN

• Autores: Fernando María González-Posada Flores
• Localización: Segundas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá / coord. por Jesús Aguado Molina, Germán Ros Magán, Miguel Ángel Hidalgo Moreno, 2009, ISBN 978-84-8138-849-7, págs. 21-30
• Idioma: español
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