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Una extensión del modelo Ebers-Moll para el transistor bipolar en condiciones dinámicas

  • Autores: Martín Jaráiz, D. Pardo, J. Vicente, María Blanca Rojo Giménez
  • Localización: III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 40-48
  • Idioma: español
  • Texto completo no disponible (Saber más ...)
  • Resumen
    • El modelo inicial de Ebers-Moll supone al transistor bipolar en condiciones estáticas. Con el fin de ampliar su validez al caso de condiciones dinámicas se suele añadir una serie de parámetros semiempíricos (resistencias y capacidades) que dan cuenta de determinados efectos no incluidos en el modelo inicial. Se propone aquí una extensión de dicho modelo inicial, basada en la solución analítica de la unión p-n en régimen dinámico.


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