Fabricación de fotoelectrodos transparentes de SnO2 y caracterizaciones estructural y eléctrica

• José María López García ; Salvador Ángel Gómez Lopera ^[1]
  1. [1] Universidad Politécnica de Cartagena

     Universidad Politécnica de Cartagena

     Cartagena, España

     
• Localización: Anuario de Jóvenes Investigadores, ISSN 2386-3676, Vol. 9, 2016, págs. 176-179
• Idioma: español
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  • español

    Se han fabricado fotoelectrodos transparentes de dióxido de estaño dopado con flúor (SnO 2 :F) sobre sustratos de vidrio de 18.75 cm 2 de superficie y 1.2 mm de espesor median te el método de pirolisis de espray. Se crecieron películas de aproximadamente 500 nm de espesor para distintos valores de [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Las capas conductoras tienen una eleva da cristalinidad que coincide con el patrón para el dióxido de estaño (estructura tetragonal rutilo). La resis tencia superficial y la resistividad son mínimas para la muestra dopada al 16%, con valores respectivos 3.05±0.12 Ω cm  2 y (12±6) 10  5 Ω m.

  • English

    Fluorine doped tin dioxide (SnO 2 :F) transparent photoelectrodes w ere manufactured over glass substrates of 18.75 cm 2 surface and 1.2 mm thick by spray pyrolys is method. It was grown films of approximately 500 nm thick for different values of [F]/[Sn] (0%, 10%, 15%, 16%, 19%, 20%). Conductive films have a high crystallinity which coincid es with tin dioxide pattern (rutile tetragonal structure). Surface resistance and resistivity are minimal for the 16% doped samp le with respective values 3.05±0.12 Ω cm  2 y (12±6) 10  5 Ω m.