tecnología cmos: avances y perspectivas cmos

• Martínez-López, Andrea G. ^[1] ; Solís-Ávila, Edgar ^[1] ; Martínez-Castillo, Jaime ^[1] ; Tinoco Magaña, Julio C. ^[1]
  1. [1] Universidad Veracruzana

     Universidad Veracruzana

     México

     
• Localización: QUID: Investigación, Ciencia y Tecnología, ISSN-e 2462-9006, ISSN 1692-343X, Nº. 24, 2015, págs. 43-58
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • technology: advances and perspectives
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• Resumen
  • español

    La electrónica moderna, conocida como microelectrónica, ha evolucionado de manera notable en las últimas décadas gracias a diversos progresos científicos y tecnológicos. Durante los primeros años de la década de 1960, se desarrollaron los transistores de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor y con ellos la tecnología Metal-Óxido-Semiconductor Complementaria, lo cual dio un impulso sin precedentes a la microelectrónica. Desde aquellos años, el avance observado ha sido guiado por la continua reducción de las dimensiones de los transistores utilizados en la fabricación de los circuitos integrados, llegando a tecnologías actuales cuyas dimensiones son del orden de decenas de nanómetros. A medida que se reducen las dimensiones de los transistores, comienzan a aparecer un conjunto de fenómenos que degradan su funcionamiento. Por ello, la tecnología ha buscado diferentes alternativas a fin de continuar con el progreso observado. En este contexto, los transistores de efecto de campo de múltiples compuertas aparecen como una alternativa viable para guiar a la tecnología hacia los dispositivos de menos de 10 nm (sub-10 nm).

  • English

    Modern electronics, known as microelectronics, has evolved astonishingly in the last decades thanks to scientic and technological advances. In the early 1960, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors were developed, followed by Complementary Metal-Oxide-Semiconductor technology, giving the eld of microelectronics an amazing improvement. Since then, the semiconductor industry has been guided by the continuous reduction of the transistor dimensions used in integrated circuits, allowing the development of the current state of technology with lengths down to tens of nanometers. As the transistor dimensions are shrunk, different phenomena appear that cause performance degradation of the devices. Hence, technological alternatives have been proposed in order to continue with the progress observed in the last decades. In this context, Multiple Gate Field Effect Transistors appears as a viable alternative to reach sub-10nm nodes. TECNOLOGÍA CMOS: AVANCES Y PERSPECTIVAS CMOS TECHNOLOGY: ADVANCES AND PERSPECTIVES However, in order to keep such progress for future technology nodes, it is necessary to solve a number of technological and scientic challenges, due to the difculty of fabricating transistors at such scale and the physical phenomena presented. In this contribution, a revision of the main keystones of microelectronics, stressing the Complementary Metal-Oxide-Semiconductor technology case, as well as the main challenges for future technology nodes are addressed.