A 2-Mb 1T1C FeRAM Prototype Based on PMOS-Gating Cell Structure

• Autores: Y. Chung, J. H. Kim, J. E. Yoon
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 10, 2004, pág. 1686
• Idioma: inglés
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