Estudio de la morfología y estado de relajación de puntos cuánticos de InN: efecto del recubrimiento de GaN a baja temperatura

• Autores: Juan G. Lozano, A. M. Sánchez, R. García, S. Ruffenach, O. Briot, D. González
• Localización: Perspectiva de la investigación sobre materiales en España en el siglo XXI, Vol. 2, 2006, ISBN 84-8158-323-5, págs. 1015-1017
• Idioma: español
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