Full-band tunneling in high-? dielectric MOS structures.

• Autores: F. Sacconi, J.M. Jancu, M. Povolotskyi, A. Di Carlo
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 694-696
• Idioma: inglés
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