Degradation kinetics of ultrathin HfO2 layers on Si(1 0 0) during vacuum annealing monitored with in situ XPS/LEIS and ex situ AFM.

• Autores: A. Zenkevich, Yu Lebedinskii, G. Scarel, M. Fanciulli, A. Baturin, N. Lubovin
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 657-659
• Idioma: inglés
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