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Fault localization of a switched mode power supply based on extended integer-coded dictionary method
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A defect-oriented test approach using on-Chip current sensors for resistive defects in FinFET SRAMs
G.C. Medeiros, L. Bolzani Poehls, Mottaqiallah Taouil, F. Luis Vargas, Said Hamdioui
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Qualification of GaN microwave transistors for the European Space Agency Biomass mission
Andrew Barnes, F. Heliere, P. Villar, H. Stuhldreier, C. Beaurain, D. Bouw, M. Grunewald, E. Moess, T. Muck, C. Schildbach, T. Ayles, A. Kramer, B. Bildner
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Comparison of reliability of 100 nm AlGaN/GaN HEMTs with T-gate and SAG-gate technology
M. Damman, M. Baeumler, P. Brückner, T. Kemmer, H. Konstanzer, A. Graff, M. Simon-Najasek, R. Quay
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On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
M. Rzin, A. Chini, C. De Santi, M. Meneghini, A. Hugger, M. Hollmer, H. Stieglauer, M. Madel, J. Splettstößer, D. Sommer, J. Grünenpütt, K. Beilenhoff, H. Blanck, J.-T. Chen, O. Kordina, G. Meneghesso, E. Zanoni
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Effect of HTRB lifetest on AlGaN/GaN HEMTs under different voltages and temperatures stresses
Omar Chihani, Loïc Théolier, Alain Bensoussan, Jean-Yves Deletage, André Durier, Eric Woirgard
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M. Oualli, C. Dua, O. Patard, P. Altuntas, S. Piotrowicz, P. Gamarra, C. Lacam, J.-C. Jacquet, L. Teisseire, D. Lancereau, E. Chartier, C. Potier, S. L Delage
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Humidity robustness for high voltage power modules: Limiting mechanisms and improvement of lifetime
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Charalampos Papadopoulos, Chiara Corvasce, Arnost Kopta, Daniel Schneider, Gontran Pâques, Munaf Rahimo
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Online condition monitoring of IGBT modules using voltage change rate identification
M.H. Mohamed Sathik, S. Prashanth, F. Sasongko, Josep Pou Félix
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