Estabilidad estructural y polimorfismo en semiconductores IVa y IIIa-Va a alta presión

• Autores: Andrés Mújica Fernaud
• Directores de la Tesis: Alfonso Muñoz González (dir. tes.), Richard James Needs (dir. tes.)
• Lectura: En la Universidad de La Laguna ( España ) en 2000
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: José Diego Bretón Peña (presid.), Maria Elena Alvira Lechuz (secret.), Alfredo Segura García del Río (voc.), Angel Rubio Secades (voc.), Roberto García Arribas (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Física del estado sólido
      • Estructura cristalina
      • Estados electrónicos
      • Semiconductores
    • Termodinámica
      • Cambio de fase
• Enlaces
  • Tesis en acceso abierto en: RIULL
• Resumen

  • Se estudian las fases de alta presión en los semiconductores del grupo IVa Si y Ge en los compuestos binarios de la familia IIIa-Va A1P, A1As, A1Sb, GaAs, GaP, InP e InAs. El método utilizado en el cálculo de la energía interna de las distintas fases en una aplicación de la teoría del Funcional de la Densidad en el formalismo de pseudopotenciales y ondas planas.