Thermoluminescence from Silicon quantum dots: A model study

• Autores: Nebiyu Gemechu Debelo, S. K. Ghoshal
• Localización: Latin-American Journal of Physics Education, ISSN-e 1870-9095, Vol. 5, Nº. 2, 2011
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    La mayoría de los materiales empiezan mostrando comportamientos fascinantes como su tamaño se reduce a nano escala. La capacidad para emitir luz como consecuencia de la absorción de energía (luminiscencia) es uno de estos comportamientos exóticos. Hay diferentes tipos de luminiscencia observada desde nano silicón. Termoluminiscencia (TL) es la emisión de luz de un aislante o semiconductor cuando es calentado. Es la emisión de luz estimulada térmicamente debido a la absorción de energía de la radiación. Por lo tanto, existe una relación directa entre la temperatura (debido a la absorción de calor o radiación) y la intensidad de TL. Desarrollamos un modelo para calcular la intensidad TL en función de la temperatura y el tamaño de punto. Nuestros resultados son bastante nuevos y requieren estudios futuros.

  • English

    Most of the bulk materials start showing fascinating behaviors as their size is reduced to nano level. The ability to emit light as a consequence of absorption of energy (luminescence) is one of these exotic behaviors. There are different types of luminescence observed from nano silicon. Thermoluminescence (TL) is the emission of light from an insulator or semiconductor when it is heated. It is the thermally stimulated emission of light due to absorption of energy from radiation. So, there is a direct relationship between temperature (due to absorption of heat or radiation) and the TL intensity. We develop a model for calculating the TL intensity as a function of temperature and dot size. Our results are quite new and require future studies.